摘 要 |
[目的]研究不同濃度硅(Si)對西瓜幼苗生長、光合特性及保護性酶活性的影響,為探究外源硅對西瓜幼苗生長及生理特性的影響提供理論依據。[方法] 以“早佳8424”西瓜為試驗材料,采用水培法,硅酸鉀作為硅源,研究不同硅濃度0 mg/L(CK)、28 mg/L(T1)、56 mg/L(T2)和84 mg/L(T3)4個處理對西瓜幼苗生長指標、光合指標及保護酶活性的影響。[結果] 在0~84 mg/L硅濃度范圍內,蒸騰速率(Tr)隨硅濃度的增加而降低,葉綠素含量(SPAD值)、POD和SOD活性隨硅濃度的增加而升高;56 mg/L硅處理的植株生長速度最快;植株鮮重分別較T3、T1、CK處理顯著增加33.47%、52.42%、65.59%,干重分別較T3、T1、CK 處理顯著增加32.43%、48.48%、66.10%;根系長度分別較T3、T1、CK處理顯著增加40.32%、37.99%、43.47%;凈光合速率較T1、CK顯著增加32.78%、3753%,氣孔導度分別較T3、T1、CK顯著增加85.71%、191.84%、150.88%,胞間CO2濃度分別較T3、T1、CK顯著增加4.09%、7.89%、8.75%;T1、T2、T3處理的POD、SOD活性分別在第6天、第3 天達到最大,其中在84 mg/L硅濃度處理POD、SOD活性高于其他處理。[結論]施用外源硅可以提高西瓜幼苗的光合作用和抗氧化酶活性,促進西瓜幼苗的生長,其中營養液硅濃度以56 mg/L為好。 |